2021-12-17
氮化鎵以開關(guān)速度快,導(dǎo)阻低,低輸入輸出電荷的優(yōu)勢(shì),應(yīng)用在快充上逐漸取代了傳統(tǒng)的高壓硅MOS管。使用氮化鎵取代硅MOS管,降低了開關(guān)損耗,并且提高了充電器的轉(zhuǎn)換效率,使得充電器無需設(shè)計(jì)大面積的散熱片。同時(shí)還可以由傳統(tǒng)65kHz的開關(guān)頻率提升到130kHz等更高,減小變壓器電感量,縮小變壓器尺寸,可以減小充電器的體積。
而通過將氮化鎵與控制器封裝在一起,可以有效降低走線寄生電感對(duì)氮化鎵工作的影響,充分發(fā)揮氮化鎵的性能優(yōu)勢(shì)。繼65W氮化鎵快充方案之后,杰華特再次推出了一款內(nèi)置650V耐壓,480mΩ導(dǎo)阻的氮化鎵合封芯片JW1566A,并以此芯片為核心推出了一款33W高密度的氮化鎵快充方案。
這款快充方案采用準(zhǔn)諧振反激拓?fù)渑浜贤秸鳎膲K小板堆疊焊接組成。配合高密度的電源設(shè)計(jì),實(shí)測(cè)電源方案的尺寸僅有28.1*22*25.5mm,功率密度達(dá)2.1W/cm3。
一、杰華特合封氮化鎵33W方案外觀
杰華特這款充電器方案采用了四塊小板焊接組合的方式,充分利用電路板面積,空間利用率高,體積小巧。
得益于這款電源方案使用了杰華特JW1566A合封芯片,初級(jí)部分的元件數(shù)量很少,電路精簡(jiǎn)。
翻到另外一面,是充電器方案的次級(jí),次級(jí)由同步整流和協(xié)議芯片組成。電路板鏤空為初級(jí)濾波電解電容留出空間,左側(cè)小板焊接光耦和Y電容,空間充分利用。
側(cè)面可以看到變壓器和垂直的小板,小板連接初次級(jí)用于電壓反饋調(diào)節(jié)。
用于電壓反饋調(diào)節(jié)的光耦和貼片Y電容,右側(cè)初級(jí)電容采用絕緣膠帶包裹絕緣。
初級(jí)共使用兩顆高壓電解電容濾波,均采用膠帶絕緣,右側(cè)是另外一塊小板,焊有共模電感,保險(xiǎn)絲和整流橋。
小板上焊接整流橋,遠(yuǎn)離其他發(fā)熱元件,均攤充電器運(yùn)行時(shí)的發(fā)熱,改善溫升表現(xiàn)。
使用游標(biāo)卡尺測(cè)量電路板長(zhǎng)度約為28.1mm。
使用游標(biāo)卡尺測(cè)量電路板寬度約為22mm。
使用游標(biāo)卡尺測(cè)量電路方案高度約為25.5mm。
測(cè)得重量為25.1克。
放在手心,整個(gè)電源方案的體積非常小巧。
二、杰華特合封氮化鎵33W方案解析
杰華特合封33W氮化鎵快充電源方案采用JW1566A初級(jí)合封氮化鎵芯片,配合杰華特JW7726B同步整流控制器和AONS62922同步整流管,由偉詮WT6615F協(xié)議芯片進(jìn)行輸出電壓控制。電源采用簡(jiǎn)單高效的反激拓?fù)?,非常適合小功率的電源方案使用。
輸入端整流橋絲印TDF2750M。
電源初級(jí)采用杰華特合封氮化鎵芯片JW1566A,在DFN5*6的封裝內(nèi)部集成了反激控制器,氮化鎵驅(qū)動(dòng)器和氮化鎵功率管,準(zhǔn)諧振反激可降低開關(guān)損耗,改善EMI,并提高能效。
JW1566A內(nèi)置650V耐壓,480mΩ氮化鎵開關(guān)管,芯片支持最高90V供電電壓,最高開關(guān)頻率可達(dá)260kHz,內(nèi)置高壓?jiǎn)?dòng)電路,具有超低的待機(jī)功耗。
杰華特JW1566A內(nèi)置可選的過流和過功率保護(hù)功能,支持突發(fā)模式、頻率調(diào)制和準(zhǔn)諧振模式,根據(jù)負(fù)載程度自動(dòng)切換,以實(shí)現(xiàn)全功率范圍內(nèi)的高效率。芯片支持供電過壓保護(hù),輸出過壓,欠壓保護(hù),支持輸入欠壓保護(hù),電流傳感引腳開路保護(hù)、逐周期過流保護(hù)、過功率保護(hù)和內(nèi)置的過熱保護(hù)功能。
JW1566A適用于PD和QC快充充電器,以及寬電壓范圍輸出的開關(guān)電源等應(yīng)用,為 USB PD 快充與開關(guān)電源應(yīng)用提供高能效小體積的解決方案。
JW1566A合封氮化鎵電源在90V/60Hz輸入,滿載情況下板端效率達(dá)到 92.28%,高壓輸入滿載效率可以達(dá)到 93.5%,可以大幅降低熱設(shè)計(jì)難度,做小型化產(chǎn)品非常有優(yōu)勢(shì),JW1566A 具有抖頻功能,33W DEMO EMI 余量>6db以上,并且保護(hù)功能齊全。
杰華特JW7726B同步整流控制器,支持CCM、DCM、QR和ACF模式,在振鈴期間能有效防止同步整流MOSFET的誤開通;具有快速驅(qū)動(dòng)能力支持CCM模式;在啟動(dòng)過程中(VCC建立之前)能有效防止門極gate被耦合至開啟電壓。
杰華特 JW7726B同步整流控制器可由輸出電壓直接供電,支持高側(cè)和低側(cè)應(yīng)用,具有極低的靜態(tài)電流,適合ACF和反激快充應(yīng)用。
用于輸出電壓反饋的1019光耦和特銳祥貼片Y電容。
AONS629222同步整流管。
用于控制輸出電壓的偉詮WT6615F協(xié)議芯片。
充電頭網(wǎng)總結(jié)
杰華特33W合封氮化鎵采用多塊PCB的堆疊結(jié)構(gòu),充分利用空間,體積非常小巧。JW1566A高集成氮化鎵合封芯片具有高集成度,小體積,低待機(jī)功耗及高效率優(yōu)勢(shì),可提升電源產(chǎn)品的競(jìng)爭(zhēng)力。
通過使用合封芯片可降低寄生參數(shù)對(duì)電源高頻運(yùn)行的負(fù)面影響,提高電源轉(zhuǎn)換效率,并簡(jiǎn)化開關(guān)電源的初級(jí)設(shè)計(jì)。并且可搭配多種協(xié)議芯片滿足快充充電器設(shè)計(jì)。